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TEM氮化硅薄膜窗口

簡要描述:與X射(she)線用氮(dan)化硅(gui)窗(chuang)口類似(si),透射(she)電鏡(TEM)用氮(dan)化硅(gui)薄膜(mo)窗(chuang)口也(ye)使用低應力氮(dan)化硅(gui)薄膜(mo)基(ji)底(di)。但整體尺(chi)度(du)更(geng)小(xiao),適(shi)合(he)TEM裝樣的要求。窗(chuang)口有單窗(chuang)口和多窗(chuang)口陣列等不同規格。同時SHNTI也(ye)定制多孔氮(dan)化硅(gui)薄膜(mo)窗(chuang)口。

  • 產品(pin)型號:
  • 廠商性(xing)質:代理商
  • 更(geng)新時間:2018-05-14
  • 訪  問  量:4140
詳情介紹(shao)

:/admin@shnti.com

透射電鏡(TEM)用氮化硅薄膜窗口
產品概述:
與X射線用氮化硅窗口類似,透射電鏡(TEM)用氮化硅薄膜窗口也使用低應力氮化硅薄膜基底。但整體尺度更小,適合TEM裝樣的要求。窗口有單窗口和多窗口陣列等不同規格。同時SHNTI也定制多孔氮化硅薄膜窗口。

 

現在SHNTI可以提供透射電鏡(TEM)用氮化硅薄膜窗系列產品,規格如下:
外框尺寸:

  • 3 mm x 3 mm (窗(chuang)口尺(chi)寸:0.5 mm,薄膜厚度(du):50 nm)
  • 3 mm x 3 mm (窗(chuang)口(kou)尺寸:1.0 mm,薄膜厚度:50 nm)
  • 3 mm x 3 mm (窗口尺(chi)寸:1.0 mm,薄(bo)膜厚度:100 nm)
  • 窗口(kou)類(lei)別(bie):雙縫(feng)、九(jiu)窗格(ge)(3×3陣列)

邊框厚度: 200μm、381μm。 
Si3N4薄膜厚度: 50nm、100nm
SHNTI也可以為用戶定制產品(30-200nm),但要100片起訂。
本產品為一次性產品,SHNTI不建議用戶重復使用,本產品不能進行超聲清洗,適合化學清洗、輝光放電和等離子體清洗。

技術指標:
表面平整度:
我們認為薄膜與其下的硅片同樣(yang)平整, TEM用(yong)氮(dan)化硅薄膜窗(chuang)口的表面粗糙(cao)度為:0.6-2nm。*適用于TEM表(biao)征。

親水(shui)性
該窗格呈(cheng)疏水(shui)性(xing),如果樣(yang)品取自水(shui)懸(xuan)浮(fu)液(ye),懸(xuan)浮(fu)微粒則不能均勻地分布在薄(bo)膜上。用等(deng)離子蝕刻機對(dui)薄(bo)膜進(jin)行親水(shui)處(chu)理,可(ke)暫時獲得(de)親水(shui)效果。雖然沒有對(dui)其(qi)使用壽命進(jin)行過測(ce)試(shi),但預期可(ke)以獲得(de)與同樣(yang)處(chu)理的(de)鍍碳TEM網(wang)格(ge)相當的壽命。我們可(ke)以(yi)生產此種蝕(shi)(shi)刻窗格(ge),但無(wu)法保證(zheng)其(qi)使用壽命。如(ru)果實驗室有蝕(shi)(shi)刻工具(ju)也可(ke)對其(qi)進行相應的處理提高(gao)其(qi)親(qin)水(shui)性能。



溫度特性:
氮化硅薄膜窗口產品是耐高溫產品,能夠承受1000度(du)高(gao)溫(wen),非常適合在(zai)其(qi)表面利(li)用(yong)CVD方法生(sheng)長各種(zhong)納米材(cai)料。

化學特性:
氮(dan)化(hua)硅薄膜窗口是惰性襯底。

應用簡介(jie)和(he)優(you)點:
1
適合TEMSEMAFMXPSEDX等的對同一區(qu)域(yu)的交叉配對表(biao)征。
2
大(da)窗口尺寸(cun),適合TEM大角度轉動觀察。
3
無碳(tan)、無雜(za)質(zhi)的清潔TEM觀(guan)測平臺(tai)。
4
背(bei)景氮化硅無(wu)定形、無(wu)特征。
5
耐高溫(wen)、惰性襯(chen)底,適應各種聚合物、納米材(cai)料、半(ban)導體(ti)材(cai)料、光學晶(jing)體(ti)材(cai)料和功能薄膜材(cai)料的制(zhi)備(bei)環境,(薄膜直接沉積在窗口上)。
6
生物(wu)和濕細(xi)胞樣本的理想承載體(ti)。特(te)別是在(zai)等離(li)子體(ti)處理后(hou),窗(chuang)口(kou)具有很好的親水(shui)性(xing)。。
7
耐(nai)高溫、惰(duo)性襯底,也(ye)可以用于化學反應和退(tui)火效(xiao)應的原位(wei)表征。
8
適合(he)做為膠體、氣凝膠、有機材(cai)料和(he)納(na)米(mi)顆粒等的(de)表征(zheng)實(shi)驗承載體。

氮(dan)(dan)化硅薄膜(mo)應(ying)(ying)用范圍非常(chang)廣,甚至(zhi)有(you)(you)(you)時使不可能(neng)(neng)變為(wei)可能(neng)(neng),但(dan)所有(you)(you)(you)應(ying)(ying)用都有(you)(you)(you)無氮(dan)(dan)要求(qiu)(因樣本中有(you)(you)(you)氮(dan)(dan)存在):
惰(duo)性基片可(ke)用于(yu)高溫環境下,通過TEMSEM或(huo)AFM(某些情況下)對反應進行動態觀察。
作為(wei)耐用基片(pian),首先在TEM下,然后在SEM下對(dui)同一區域(yu)進行匹配
作為耐用(yong)匹配(pei)基片,對AFM和(he)TEM圖(tu)像進(jin)行比較。
聚焦離(li)子(zi)束(shu)(FIB)樣本(ben)的裝(zhuang)載,我們*使(shi)用(yong)多孔薄膜,而非不間(jian)斷薄膜。


許多研究納米(mi)微(wei)粒(li),特別是含(han)氮納米(mi)微(wei)粒(li)的人(ren)員發現此種薄(bo)膜窗格在他們實驗中*。氣凝膠和(he)干凝膠的基(ji)本(ben)組成微(wei)粒(li)尺寸(cun)極小,此項研究人(ren)員也同樣會(hui)發現氧化硅薄(bo)膜窗格的價值(zhi)。
優點:
• SEM
應用中,薄膜背(bei)景不呈現任(ren)何結構和特點。
• x-
射線顯(xian)微鏡中,裝載多個分析樣的*方(fang)法。
無氮
高溫應用(yong),氮化硅薄膜在
1000°C高溫下(xia)仍能(neng)保持穩定的性能(neng)。

使用(yong)前清潔:
氮化硅薄(bo)膜窗格在(zai)使用前不需進行額外清潔。有時薄(bo)膜表面邊角處會(hui)散(san)落個別氧化物(wu)或氮化物(wu)碎(sui)片(pian)(pian)。由于單片(pian)(pian)網格需要從整個硅片(pian)(pian)中分(fen)離(li),并對(dui)外框(kuang)進行打磨,因此這(zhe)些微小碎(sui)片(pian)(pian)不可避免。盡(jin)管如此,我(wo)們相信(xin)這(zhe)些碎(sui)片(pian)(pian)微粒不會(hui)對(dui)您的實驗產(chan)生(sheng)任何影響。

如果用(yong)戶確實需要對這些(xie)碎(sui)片進行清理,我們建議用(yong)H2SO4 : H2O2 (1:1)溶液清潔有機物(wu),用H2O:HCl: H2O2 (5:3:3)溶液清潔金屬。

通(tong)常不(bu)能用超(chao)聲波(bo)清(qing)洗器(qi)清(qing)潔(jie)薄(bo)膜,因超(chao)聲波(bo)可(ke)能使其粉(fen)碎性破裂。

 

 

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