全自動晶圓探針式輪廓儀/臺階儀P-170該系統(tong)結合了(le)UltraLite®傳感器、恒力控制和超平掃(sao)描平臺，因而具(ju)備(bei)出色的(de)測(ce)量穩定性。通過點擊式平臺控制、頂視和側(ce)視光(guang)學系統(tong)以及(ji)帶光(guang)學變(bian)焦的(de)高分(fen)辨率相機等功能，程(cheng)序設(she)置簡便快(kuai)速。P-170具(ju)備(bei)用于量化表面(mian)形貌(mao)的(de)各種濾鏡、調平和分(fen)析算(suan)法，可以支持2D或3D測(ce)量。并通過圖(tu)案識(shi)別、排序和特征檢測(ce)實現(xian)全自動測(ce)量。

一、 全自動晶圓探針式輪廓儀/臺階儀功能

    設備特點(dian)

    ·臺階高度：幾納米至1000μm

    ·微力恒力控制：0.03至50mg

    ·樣品全直徑掃描，無(wu)需圖(tu)像拼接

    ·視頻：500萬像素(su)高分辨率彩色攝(she)像機

    ·圓弧校正：消除(chu)由于探針(zhen)的(de)弧形運動(dong)引起的(de)誤差

    ·軟(ruan)件：簡(jian)單易用的(de)軟(ruan)件界面(mian)

   ; ·生(sheng)產能力(li)：通過測序、圖案識別和SECS/GEM實現全(quan)自動化

    ·晶圓機械傳送臂：自動加載75mm至200mm不透(tou)明（例如硅）和透(tou)明（例如藍寶石）樣(yang)品

主要應用

    ·臺階高度(du)：2D和3D臺階高度(du)

    ·紋(wen)理：2D和3D粗糙度和波(bo)紋(wen)度

    ·形狀：2D和(he)3D翹(qiao)曲和(he)形狀

    ·應(ying)力：2D和3D薄(bo)膜應(ying)力

    ·缺陷(xian)復檢：2D和3D缺陷(xian)表面(mian)形貌

    工業應(ying)用(yong)

    ·半導體

    ·化合物半導體

    ·LED：發光二(er)極管(guan)

    ·MEMS：微機電系統

    ·數據存(cun)儲

    ·汽車

二、應用案例(li)

    ·臺階高度(du)

    P-170可以(yi)提供納(na)米級到1000μm的(de)(de)2D和(he)3D臺階高(gao)度的(de)(de)測量(liang)。 這使其(qi)(qi)能(neng)夠量(liang)化在(zai)蝕刻，濺射，SIMS，沉(chen)積，旋涂，CMP和(he)其(qi)(qi)他工藝期間(jian)沉(chen)積或去除的(de)(de)材(cai)料(liao)。P-170具有恒力控制(zhi)功能(neng)，無論臺階高(gao)度如何(he)都可以(yi)動態調整并施加相同的(de)(de)微力。 這保證了良好(hao)的(de)(de)測量(liang)穩定性(xing)并且能(neng)夠精確測量(liang)諸(zhu)如光刻膠等(deng)軟(ruan)性(xing)材(cai)料(liao)。

    ·紋(wen)理：粗糙度和(he)波(bo)紋(wen)度

    P-170提供2D和3D紋(wen)理(li)測量(liang)并量(liang)化樣品(pin)的粗(cu)糙度(du)和波紋(wen)度(du)。軟件濾鏡功能將測量(liang)值分(fen)為粗(cu)糙度(du)和波紋(wen)度(du)部分(fen)，并計算(suan)諸如均方根（RMS）粗(cu)糙度(du)之類的參數(shu)。

    ·外形(xing)：翹曲和形(xing)狀

    ;P-170可以(yi)測量(liang)表面的2D形狀或翹曲。這包(bao)括(kuo)(kuo)對晶圓(yuan)翹曲的測量(liang)，例如半導體或化合(he)物(wu)半導體器(qi)件生產中的多層沉積期間由于層與層的不(bu)匹配是(shi)導致(zhi)這種翹曲的原因。P-170還(huan)可以(yi)量(liang)化包(bao)括(kuo)(kuo)透鏡在(zai)內的結(jie)構高度和曲率半徑。

    ·應力：2D和(he)3D薄膜應力

    P-170能夠測(ce)量(liang)在(zai)生產包含多個(ge)工(gong)藝(yi)(yi)層的(de)半導體或化(hua)合(he)物半導體器件期間所產生的(de)應力(li)。使用(yong)(yong)應力(li)卡盤將(jiang)樣(yang)(yang)品(pin)(pin)支撐在(zai)中性位置并(bing)精確測(ce)量(liang)樣(yang)(yang)品(pin)(pin)翹曲(qu)。 然后通(tong)(tong)(tong)過(guo)應用(yong)(yong)Stoney方程，利用(yong)(yong)諸如薄膜(mo)沉(chen)積工(gong)藝(yi)(yi)的(de)形狀變化(hua)來計算(suan)應力(li)。2D應力(li)通(tong)(tong)(tong)過(guo)在(zai)直徑達200mm的(de)樣(yang)(yang)品(pin)(pin)上(shang)通(tong)(tong)(tong)過(guo)單次掃描(miao)(miao)測(ce)量(liang)，無需圖像拼接(jie)。3D應力(li)的(de)測(ce)量(liang)采用(yong)(yong)多個(ge)2D掃描(miao)(miao)，并(bing)結合(he)θ平臺在(zai)掃描(miao)(miao)之間的(de)旋轉對(dui)整(zheng)個(ge)樣(yang)(yang)品(pin)(pin)表面進行測(ce)量(liang)。

    ·缺陷(xian)復檢

    缺(que)(que)陷(xian)(xian)(xian)復查用于(yu)測(ce)量(liang)如劃痕深度之類的缺(que)(que)陷(xian)(xian)(xian)形(xing)貌。 缺(que)(que)陷(xian)(xian)(xian)檢測(ce)設(she)備(bei)找出缺(que)(que)陷(xian)(xian)(xian)并(bing)將其位置坐標寫入KLARF文(wen)件(jian)。 “缺(que)(que)陷(xian)(xian)(xian)復檢"功能(neng)讀取KLARF文(wen)件(jian)、對準樣(yang)本，并(bing)允許用戶(hu)選擇缺(que)(que)陷(xian)(xian)(xian)進行2D或3D測(ce)量(liang)。